مقايسه خواص تشعشعي نانوپوششها درساختارهاي چندلايه اي درطيف مرئي به روش غيرهمدوس

اطلاع از خواص تشعشعي لايه هاي بسيار نازك متناوب نيمه هاديها، كاربردهاي زيادي در صنايع ميكروالكترونيك، تبديل انرژي و نانوفناوري دارند. در اين مقاله زير لايه سيليكون با دي اكسيد سيليكون و نيتريد سيليكون پوشش داده شده است. ضخامت زير لايه سيليكون 500 و دما ºC25 مي باشد. در اين كار محدوده طول موج مرئي مورد بررسي قرار گرفته است و از فرمولاسيون غير چسبنده و سيليكون تقويت شده استفاده شده است. ضخامت پوشش دي اكسيد سيليكون و نيتريد سيليكون 400 مي باشد. نتايج نشان داد كه ضريب صدور ميانگين پوشش نيتريد سيليكون از ضريب صدور ميانگين دي اكسيد سيليكون كوچكتر مي باشد. و نيز ضريب بازتاب ميانگين براي پوشش نيتريد سيليكون از ضريب بازتاب ميانگين پوشش دي اكسيد سيليكون بيشتر است. كه اين امر براي هر دو نوع يون دهنده و گيرنده مشابه است. ولي يون دهنده داراي ضريب صدور بزرگتر و ضريب بازتاب كوچكتر از يون گيرنده مي باشد.